10月15日，由vic115维多利亚郝跃院士牵头承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目“超宽禁带半导体材料与器件研究”启动会在西安举行。科技部高技术研究发展中心材料处和陕西省科技厅高新处等项目主管部门领导、项目咨询专家组成员、西电计财处和科研院相关负责人，以及来自10家参研单位的课题负责人、科研骨干等40余人参加了会议。

副校长李建东代表项目牵头单位出席了会议，并向北京大学沈波教授、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员等7位项目咨询专家颁发了聘书。

副校长李建东在致辞中向各位莅临会议的领导以及专家表示欢迎，对本次项目启动会的召开表示祝贺。李校长介绍了学校的总体情况，并表示本次西电牵头的2018年国家重点研发计划重点专项项目，是学校今年承担的重要项目之一，学校将以此作为重要发展契机，并严格按照重点研发计划有关文件及规定组织实施，在管理、平台、经费等各方面发挥保障和支撑作用，支持项目团队推进项目实施。

陕西省科技厅高新处处长崔海龙介绍了陕西省科技厅根据科技部的科技计划改革，正在实施的五类科技计划，以及2018年陕西省重点研发计划的启动实施情况。

会上，科技部高技术研究发展中心材料处专项主管杨斌对项目的启动表示祝贺，并介绍了重点研发计划项目管理的流程和要求。同时表示，项目各承担单位要严格落实国家重点研发计划的相关管理办法和要求，对实施方案进行科学论证，有序组织，明确节点，高质量的完成项目研发任务。郝跃院士就该项目承担的研究内容、关键技术节点、技术指标及成果进行了汇报。咨询专家组针对汇报内容进行了质询，并提出进一步指导意见。

据了解，“超宽禁带半导体材料与器件研究”于2018年5月获得国家科技部立项支持，项目总预算经费957万元，其中，中央财政专项经费957万元。本项目围绕超宽禁带半导体材料和器件的核心科学与技术难题，以基础理论、材料制备和器件研制为核心，旨在高质量低缺陷单晶衬底和外延材料生长、高效双极性掺杂、缺陷控制、器件结构设计以及共性器件工艺等关键科学与技术问题上取得原始创新和突破，研制出大尺寸超宽禁带半导体材料、高性能光电和电子器件样品，建立一整套具有自主知识产权的新结构、新方法和新技术，推动我国超宽禁带半导体材料和器件研究达到国际领先水平。